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日找到高纯度氢气提取新方法
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本报东京11月2日电 日本福岛大学共生系统理工学科佐藤副教授通过制作铟、镓和砷元素掺入碳的化合物半导体膜的试验,开发出利用化合物半导体低成本制造高纯度氢的原理。新方法比目前应用的钒合金模制氢法约降低成本10%%左右。

  起初,佐藤的研究是如何在高速通信用的化合物半导体中除去氢,后来改变想法开始研究氢的精度制造技术。他在实验中制作了在铝基板上铟、镓和砷半导体中加入碳的p型半导体膜,发现这种半导体化合物膜可以作为氢过滤介质过滤氢。在利用压力差进行氢透过实验中,氢形成一个质子氢离子通过膜,而不纯物没有透过,制造出了几乎100%%纯度的氢。他表示,今后将继续对不使用有毒元素的半导体进行试验以及氢透过速度验证。

  氢被视为清洁能源,高纯度的氢广泛用于精细化学药品、半导体以及燃料电池等领域。但是通常从煤炭、天然气等能源中提取氢的方法纯度不足,而制造高纯度氢通常使用的贵金属钒合金模的透过法成本高昂。


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